一种氧化均匀的半导体加工系统

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种氧化均匀的半导体加工系统，包括加工箱，所述加工箱底部的两侧均固定连接有座脚，所述加工箱顶部的里侧固定连接有L型架，所述加工箱的顶部固定连接有隔热U型板，且隔热U型板的外表面与L型架的内表面固定连接，本实用新型涉及半导体加工技术领域。该氧化均匀的半导体加工系统，通过设置往复机构，利用半齿轮的转动带动啮合的齿牙移动，经过固定套使得放置板在两个固定板的底部间歇滑动，配合电机箱内的电机驱动，可以使得放置在放置板表面的半导体来回滚动，半导体进行加热氧化时，可以使其表面与热气充分接触，避免了半导体接触面氧化效果较差的问题，极大的提高了半导体加热氧化后的质量。

基本信息

专利标题：

一种氧化均匀的半导体加工系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021039561.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-09

授权号：

CN212587455U

授权日：

2021-02-23

发明人：

苏宇

申请人：

苏宇

申请人地址：

安徽省亳州市利辛县城关镇蒋庄居委会苏大庄3户

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021039561.X

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-05-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200609
授权公告日 : 20210223
终止日期 : 20210609

2021-02-23 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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