一种增加爬电距离的半导体封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种增加爬电距离的半导体封装结构，其可增加引线之间的爬电距离，同时可增加器件的绝缘强度，满足半导体器件的高耐压要求，其包括壳体、若干个由内部芯片引出的贯穿壳体的引线，至少一个引线上包覆有凸缘，凸缘位于引线与壳体外表面相邻的部位，或至少一个引线上包覆有凸缘，同时相邻两个引线之间开有凹槽，凹槽的两端分别贯穿壳体的顶端端面和底端端面。
基本信息
专利标题 ：
一种增加爬电距离的半导体封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021729139.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
CN213124418U
授权日 ：
2021-05-04
发明人 ：
朱袁正王燕军朱久桃李明芬
申请人 ：
无锡电基集成科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区研发二路以南、研发一路以东
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹慧萍
优先权 ：
CN202021729139.7
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2021-05-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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