一种用于芯片封装的脉冲加热块结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于芯片封装的脉冲加热块结构，包括两固定块，和用于连接两固定块的连接桥；连接桥内设有均贯穿其两端的负压气道和冷却通道，连接桥的上表面上设有用于放置芯片的放置位，放置位上设有连通负压气道的气道孔；两固定块的下表面上均设有与冷却通道连通的循环通道，两固定块中任其一固定块的下表面设有与负压气道连通的连接通道；连接桥的下表面上设有用于安装温度传感器的安装位，连接桥和固定块均为钛合金材质，本实用新型结构简单，加热冷却迅速，利用负压气道内的负压将芯片吸附住，减少了芯片因为接触面过多导致的污染，通过在安装位上设置温度传感器可时时检测温度作为反馈，更好的控制加热温度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于芯片封装的脉冲加热块结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021734138.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-17
授权号 ：
CN212848320U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
梁帅凌涵君林明冠
申请人 ：
深圳市锐博自动化设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头南岗第三工业园11栋三层（C区）
代理机构 ：
深圳市科冠知识产权代理有限公司
代理人 ：
王海骏
优先权 ：
CN202021734138.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G05D23/19
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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