半导体光元件及其制造方法
公开
摘要
本发明提供具有稳定的特性的衍射光栅且机械性强度较高的半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。
基本信息
专利标题 ：
半导体光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545548A
申请号 ：
CN202111225246.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平谷拓生八木英树藤原直树
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202111225246.5
主分类号 ：
G02B6/10
IPC分类号 ：
G02B6/10 G02B6/125 G02B6/34 G02B6/124 G02B6/13
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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