半导体光元件及其制造方法
公开
摘要
本公开提供一种能抑制电流的泄漏的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，集成有射出光的发光区域和将所述光向所述发光区域侧反射的反射区域，所述半导体光元件具备：芯层，设于所述发光区域；以及波导层，设于所述反射区域，与所述芯层光耦合，具有比所述光的能量大的带隙，所述反射区域具有在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述波导层重叠的第一晶闸管。
基本信息
专利标题 ：
半导体光元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498288A
申请号 ：
CN202111226961.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤原直树古谷章河野直哉
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
吕琳
优先权 ：
CN202111226961.0
主分类号 ：
H01S5/026
IPC分类号 ：
H01S5/026 H01S5/12 H01S5/125
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
