本发明涉及半导体技术领域中的一种氧化物半导体的P型掺杂方法，包括离子注入、高温退火和退火掩膜保护，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层注入N元素，N元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，高温退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以1300℃及以上的温度退火，相比于传统的后退火工艺，采用了更高的温度以修复注入产生的晶格损伤，并提高注入掺杂受体的激活率，以形成有效的掺杂。退火掩膜保护层是通过在注入后的表面形成一层AlN薄膜，从而阻止在高温退火时N的扩散，并且可以有效阻止高温下衬底材料在高温下的升华。