一种具有可变生长空间的晶体生长装置
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摘要

一种具有可变生长空间的晶体生长装置,属于单晶制备领域,具体涉及晶体生长装置,特别涉及在晶体生长过程中根据晶体尺寸动态控制生长空间的晶体生长装置。包括主体立柱,设置在主体立柱之间的主炉体,主炉体内部有坩埚及坩埚加热、支撑结构,坩埚上方有籽晶杆及籽晶杆驱动装置,主炉体为开放的圆筒,通过主炉体驱动电机和主驱动臂定位在主体立柱上;设置与主炉体配套的可移动装置,可移动装置通过上下运动,实现晶体生长空间的变化控制。采用本装置,在晶体生长的初期,生长空间小,热场对流小,容易进行晶体生长的引晶和放肩过程;待晶体长大后,炉体开始随着晶体的长大而伸长,晶体本身的降温会保证晶体生长的稳定性。

基本信息
专利标题 :
一种具有可变生长空间的晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202120712333.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-04-08
授权号 :
CN216550817U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
王书杰孙聂枫史艳磊邵会民徐森锋付莉杰王阳李晓岚欧欣宋瑞良刘惠生孙同年
申请人 :
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址 :
河北省石家庄市新华区合作路113号
代理机构 :
石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
聂旭中
优先权 :
CN202120712333.2
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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