一种卤化物闪烁晶体生长装置
授权
摘要
本申请公开了一种卤化物闪烁晶体生长装置，涉及闪烁晶体生长技术领域。生长装置包括生长炉，生长炉由上炉膛和下炉膛组成，上炉膛和下炉膛之间连通，生长装置还包括生长炉支撑架、可移动的退火设备和升降装置，生长炉固定在生长炉支撑架上；退火设备包括退火炉腔，退火炉腔的腔体大于上炉膛的腔体，且退火设备移动到生长炉下方后，退火炉腔可与下炉膛连通；升降装置上可固定坩埚，并在退火炉腔与下炉膛连通后，带动坩埚在上炉膛、下炉膛和退火炉腔之间移动。本申请的方案解决了高温下移动晶体的难题，可有效减少晶体内部产生热应力开裂的现象，提高了晶体的完整性和冷加工性能，且提高了生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种卤化物闪烁晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122791971.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
CN216514244U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
杨娜胡于南卢文斌
申请人 ：
北京滨松光子技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区南四环西路188号十一区18号楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122791971.0
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/12 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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