一种GaAs晶片的加工工艺
实质审查的生效
摘要
本申请涉及晶片加工领域，具体公开了一种GaAs晶片的加工工艺，包括如下步骤：S1、制备GaAs单晶棒，依次经切割、倒角、退火后，制得粗料；S2、粗料经第一研磨液研磨5‑10min，制得第一研磨料；第一研磨液中包含粒径2‑10μm的单晶金刚石；S3、第一研磨料经第二研磨液研磨2‑8min，制得第二研磨料；第二研磨液中包含粒径0.5‑2μm的多晶金刚石；S4、第二研磨料经第三研磨液研磨10‑18min，制得晶片料；第三研磨液中包含粒径5‑15nm的纳米金刚石；S5、晶片料依次抛光、表面处理、包装，制得成品；使GaAs晶片同时具有研磨效率高、表面平整度好的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs晶片的加工工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114454086A
申请号 ：
CN202210145464.6
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵波古新远
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210145464.6
主分类号 ：
B24B37/04
IPC分类号 ：
B24B37/04 B24B37/10 B24B37/005 B24B49/16 H01L21/02
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/04
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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