一种硅基器件的半导体高低温测试装置
公开
摘要
本发明提出一种硅基器件的半导体高低温测试装置，包括盒体、密封盖及设置在盒体和密封盖构成密封空腔内的高低温测试治具；高低温测试治具包括从下往上依次设置的底座、半导体高低温块和测试夹持座；所述底座设置在盒体空腔的底部，所述半导体高低温块内设有可调整温度的半导体，所述测试夹持座供待测试的硅基器件安装。本发明提出的硅基器件的半导体高低温测试装置，能够实现在高低温情况下测试硅基器件，提高测试效率，且操作简单，设备成本低。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基器件的半导体高低温测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594359A
申请号 ：
CN202210208574.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴泽斌林志阳王世锐
申请人 ：
厦门特仪科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区信息光电园金丰大厦809A室
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
周国勇
优先权 ：
CN202210208574.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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